Поиск товара

Расширенный поиск

Каталог

1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост. Модули оснащены встроенным в подложку NTC датчиком. Новые приборы обладают низкими значениями RDS(ON) и при этом, в отличии от классических Si IGBT, позволяют работать на высоких частотах. Встроенный в […] Читать дальше →

Источник: http://feedproxy.google.com/~r/compel/~3/NleCKjEBr5k/1200v-sic-mosfet-moduli-v-korpuse-easydual-1b