Поиск товара

Каталог

Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение. Pin-to-pin-совместимость с кремниевыми аналогами позволяет без труда произвести замену транзисторов в уже готовых решениях, […] Читать дальше →

Источник: http://feedproxy.google.com/~r/compel/~3/KumhIR84608/143004